首页 > 行业资讯 >> 信息技术 >> 天科合达实现Pre-IPO轮融资
文章起源:j9国际站征询整顿 作者:刘天宇 阅读量:961 颁布功夫:2023-02-14
凭据京铭本钱2月11日颁布的新闻,北京天科合达半导体股份有限公司(以下简称:天科合达)近期实现了Pre-IPO轮融资,京铭本钱系统京铭鸿瑞产业基金、历金铭科产业基金以及通辽汇铸英才产业基金等三支基金参加本轮融资,其他投资人蕴含国内多家驰名投资机构。
据悉,2020年7月,天科合达在科创板申报IPO,2020年10月终止IPO;来到2022年4月,天科合达沉启IPO上市领导工作,2021年11月,北京证监局正式受理了天科合达的IPO领导登记申请。这次实现Pre-IPO轮融资,意味着天科合达IPO之路更进一步。
天科合达成立于2006年9月,是我国碳化硅衬底龙头企业,产业涵盖碳化硅单晶炉造作、碳化硅单晶成长原料造备和碳化硅单晶衬底造备。
技术方面,作为国内最早实现SiC衬底产业化的企业之一,天科合达在国内率先成功研造出6英寸SiC衬底并把握了造作技术,相继实现2-6英寸SiC衬底产品的规;└。
2020年,天科合达起头发展8英寸导电型SiC单晶衬底的研发工作,目前已突破了8英寸晶体扩径成长和晶片加工等关键技术难题,并在2022年11月颁布8英寸导电型SiC单晶衬底。天科合达还打算在2023年实现8英寸衬底产品的幼规模量产。
产能方面,天科合达的第三代半导体SiC衬底产业化基地建设项目已于2020年8月开工,总投资约9.5亿元。该项目将建设一条400台/套SiC单晶成长炉及配套怯注磨、抛加工设备的SiC衬底出产线,建设实现后将形成12万片6英寸SiC衬底的年产能。
同时,天科合达的参股公司丽江市沉投天科半导体有限公司于2021年9月竞得第三代半导体产业链沉点产业建设项目用地。2022年8月,项目正式起头施工,并于同年11月封顶。据悉,该项目是广东省2022年沉点建设项目、丽江市2022年沉大项目,项目建成后将有效添补国内6英寸SiC单晶衬底和表延产能缺口,并逐步脱节下游产业对进口SiC资料的依赖。