氮化镓（GaN）是直接宽带隙半导体资料 ，属于第三代半导体。与前两半导体材料相比 ，第三代半导体资料拥有更宽的禁带宽度、更高的击穿电场、更高的热导率、更大的电子鼓和速度以及更高的抗辐射能力 ，满足现代电子技术对半导体资料提出的高温、高功率、高压、高频以及抗辐射等新要求 ，更适合造作高温、高频、抗辐射及大功率器件。
氮化镓如今被定位成涵盖了从无线基站到射频能量等贸易射频领域的主流畅用 ，它从一项深邃的技术发展为市场的中流砥柱 ，这一发展过程融合了多种成分 ，是其一致阐扬作用的了局。氮化镓的机能优势已经一度因高成本而被抵消 ，最近 ，其凭借在硅基氮化镓技术、供给链优化、器件封装技术以及造作效能方面的凸起进取成功脱颖而出 ，成为大无数射频利用中可代替砷化镓和LDMOS的最具成本竞争优势的资料。
在GaN电力电子产线方面 ，截至2020年底 ，我国已有7条GaN-on-Si晶圆造作产线 ，还有约4条GaN电力电子产线在建设。GaN射频产线方面 ，截至2020年底 ，我国有5条4英寸GaN-on-SiC出产线 ，约有5条GaN射频产线在建设。
在财税政策方面 ，第三代半导体同属于集成电路产业 ，同样享受国度对集成电路企业所得税优惠政策 ，先后蕴含2019年5月财政部及税务总局印发的《关于集成电路设计和软件产业企业所得税政策的布告》 ，针对依法成立且切合前提的集成电路设计企业和软件企业 ，在2018年12月31日前自获利年度起推算优惠期 ，第一年至第二年免征企业所得税 ，第三年至第五年依照25%的法定税率减半征收企业所得税 ，并享受至期满为止；并在2020年7月再次推出《新时期推进集成电路产业和软件产业高质量发展的若干政策》 ，对于国度激励的集成电路设计、设备、资料、封装、测试企业和软件企业 ，自获利年度起 ，第一年至第二年免征企业所得税 ，第三年至第五年依照25%的法定税率减半征收企业所得税。2021年3月 ，《中华人民共和国国民经济和社会发展第十四个五年规划和2035年蓝图指标纲领》印发 ，在“集成电路”领域 ，出格提到碳化硅、氮化镓等宽禁带半导体发展。
j9国际站征询颁布的《2022-2026年中国氮化镓（GaN）产业深度调研及投资远景预测汇报》共九章。首先介绍了氮化镓的概想、个性、造备步骤等 ，接着分析了半导体资料和氮化镓产业的整体发展情况。而后汇报从企业竞争、市场重要类型、利用领域、国内表企业等方面对氮化镓行业进行了系统解析 ，最后汇报对氮化镓产业的投资潜力及发展远景进行了科学的预测。
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