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台积电获得集成芯片以及形成集成芯片的步骤专利

文章起源:j9国际站征询整顿 作者:j9国际站征询整顿 阅读量:859 颁布功夫:2024-03-13

据国度知识产权局布告 ,台湾积体电路造作股份有限公司获得一项名为“集成芯片以及形成集成芯片的步骤“ ,授权布告号CN112992945B ,申请日期为2020年12月。

专利提要显示 ,本公开的各类执行例涉及一种集成芯片(IC)及形成集成芯片的步骤。所述集成芯片蕴含位于衬底中的第一相位检测自动聚焦(PDAF)光电检测器及第二PDAF光电检测器。第一电磁辐射(EMR)漫反射器沿着衬底的背侧设置且设置在第一PDAF光电检测器的周边以内。第一EMR漫反射器与第一PDAF光电检测器的第一侧距离开第一距离且与第一PDAF光电检测器的第二侧距离开比第一距离幼的第二距离。第二EMR漫反射器沿着衬底的背侧设置且设置在第二PDAF光电检测器的周边以内。第二EMR漫反射器与第二PDAF光电检测器的第一侧距离开第三距离且与第二PDAF光电检测器的第二侧距离开比第三距离幼的第四距离。

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