j9国际站

第三代半导体资料，指带隙宽度显著大于 Si（1.1eV）和 GaAs（1.4eV）的宽禁带半导体资料，重要蕴含Ⅲ族氮化物（如GaN、AlN等）、碳化硅（SiC）、氧化物半导体（如ZnO、Ga?O?等）和金刚石等宽禁带半导体。相对于第一代半导体资料Si和第二代半导体资料GaAs和InP，第三代半导体资料拥有高击穿电场强度、高热导率、高电子鼓和率、高漂移速度以及高抗辐射能力蹬着越机能。利用也较为宽泛，覆盖了中高压电力电子转换、毫米波射频和高效半导体光电子等领域，是造作业产业升级的沉要支持。

? 氮化镓（GaN）属于人造化合物，之所以强调人造，是由于此种资料必要在2000℃左右的高和善近万个大气压下能力合成，这在天然界合成很难题。氮化镓熔点为1700℃，到目前为止已知的GaN有三种晶体结构，别离为纤锌矿、闪锌矿、和岩盐矿。由于氮化镓（GaN）拥有更短的电流蹊径、超低的电阻和电容蹬着势，氮化镓（GaN）用于充电器的运行速度，比传统硅器件要快100倍。在高速开关的情况下仍能维持高效能工作，所以，幼米、华为、苹果等消费电子品牌商将氮化镓（GaN）用于快充充电器产品。 

? 碳化硅（SiC）也有类似的六方体结构，碳化硅(SiC)比氮化镓（GaN）钻研更早，也是当前发展最成熟的宽禁带半导体资料。碳化硅(SiC) 在导热率上具备更多的优势，因而在高功率利用，好比高铁、输变电、新能源汽车以及工业节造等领域占据重要职位。

2017年，中国第三代半导体产业全面启动，中央和处所出台有关政策加大对第三代半导体资料及产业化利用搀扶力度。

从市场情况来看，由于成本及技术原因，目前硅基半导体资料依然是市场的主流。凭据机构数据显示：2020年，碳化硅(SiC) 与氮化镓（GaN）功率半导体的全球市场约8.54亿美元，SiC市场规模约为7.03亿美元，GaN市场规模约为1.51亿美元。而2020年全球整体功率半导体器件市场规模为180亿美元至200亿美元。所以，2020年碳化硅(SiC) 与氮化镓（GaN）器件仅占整个功率半导体器件市场的4.2%至4.5%，整体渗入率并不高。凭据Yole颁布的数据预测，2025年碳化硅(SiC)的市场规模为25亿美金，2026年氮化镓（GaN）市场规模预测数据为10亿美金。

第三代半导体资料和技术在加快发展，在新一代显示、5G移动通讯、相控阵雷达、高效智能电网、新能源汽车、自动驾驶、工业电源、消费类电子产品等领域展示出辽阔的、不成代替的利用远景，并逐步成为人为智能、将来智联网等发展的主题关键元器件的资料基础。预计将形成万亿美元的利用市场，成为新一代造作业必争的战术腹地，成为全球列国提升将来主题竞争力的沉要伎俩和沉要支持。